來自韓國大學的研究人員已經開發了一種簡單和微電子兼容的方法來生長石墨烯，并且公開宣布成功在硅基板上合成晶圓級（直徑為4英寸）、高質量和多層的石墨烯。方法是基于一個離子注入技術，該過程中是離子在加速電場下被加速，轟擊半導體基體。受影響的離子被改變了物理、化學或半導體等的電學性質。
離子注入技術在半導體材料中通常用于引入雜質。在這個過程中，碳離子在一個電場加速下，被轟擊到一個分層的表面，該表面由鎳、二氧化硅和硅在500攝氏度的溫度下形成。鎳層具有高溶碳性，被作為催化劑合成石墨烯。
轉自石墨烯網www.graphenes.net
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