本研究著重于比較兩種不同剝離方法合成的石墨烯復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)、組成和磁性能，即一步法和同時(shí)剝離-電沉積法。此外，該研究還調(diào)查了這些特性對(duì)納米復(fù)合材料（NPs）中電磁（EM）屏蔽質(zhì)量的影響。為了合成第一種復(fù)合材料，我們使用直流電源和石墨箔電極在FeSO
4·7H
2O和NiCl
2·6H
2O浴中。為了構(gòu)建第二種復(fù)合材料，我們采用交流電源和FeSO
4·7H
2O和CuSO
4·7H
2O浴中的石墨棒。這些石墨烯復(fù)合材料的表征結(jié)果證明，與第一種復(fù)合材料相比，第二種復(fù)合材料中的石墨烯層顯示出更少的缺陷、更高的結(jié)晶度和更多的層。第二種復(fù)合材料中的這些特性使Gr/CuFe納米復(fù)合材料的電磁屏蔽性能優(yōu)于第一種復(fù)合材料的電磁屏蔽。這使Gr/CuFe納米復(fù)合材料具有顯著增強(qiáng)的吸收特性，使其特別適合用于高頻吸收器。
圖1. (a) 石墨剝離和石墨烯、鎳、銅和鐵共沉積的示意圖，用于制備納米復(fù)合材料。(b)Gr/NiFe和(c)Gr/CuFe粉末的FESEM圖像。
圖2. (a) Gr/NiFe粉末和(b) Gr/CuFe粉末的TEM圖像。(a)和(b)的插圖分別顯示了Gr/NiFe粉末和Gr/CuFe粉末的HRTEM圖像。(c)Gr/NiFe粉末和(d)Gr/CuFe粉末的EDS結(jié)果。
圖3. 作為(a)Gr/NiFe復(fù)合材料和(b)Gr/CuFe復(fù)合材料的結(jié)晶測(cè)試的X射線衍射圖案的結(jié)果。在Gr/NiFe復(fù)合材料中的大多數(shù)相都與NiFe合金有關(guān)，F(xiàn)e
3O
4以立方結(jié)構(gòu)結(jié)晶。在Gr/CuFe復(fù)合材料中觀察到高比例的Fe
3O
4和Fe的立方晶體。(c) Gr/NiFe3O4粉末和(d) Gr/CuFe粉末的拉曼測(cè)試結(jié)果。
圖4. Gr/NiFe和Gr/CuFe粉末的室溫磁化曲線。樣品的飽和磁化值為547和225 emu/g，Gr/NiFe和Gr/CuFe粉末的矯頑力（Hc）值分別為30和100 Oe。此外，所制備的粉末的剩磁（Mr）在Gr/NiFe和Gr/CuFe粉末中分別為45和16.8 emu/g。
圖5. (a)電導(dǎo)率的實(shí)數(shù)(ε′)和虛數(shù)(ε″)分量，(b)制備的復(fù)合材料的磁導(dǎo)率的實(shí)數(shù)(μ′)和虛數(shù)(μ″)分量。(c)制備的復(fù)合材料的介電損耗切線和磁損耗切線以及(d)介電損耗+磁損耗。
圖6. (a)Gr/NiFe和Gr/CuFe復(fù)合材料的SE
T, SE
A, SE
R, 和(b)衰減常數(shù)。
相關(guān)研究成果由沙希德-貝赫什提大學(xué)Seyed Majid Mohseni等人2023年發(fā)表在ACS Applied Electronic Materials (https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c01663)上。原文：Comparing Two Types of Graphene-Magnetic Nanocomposites with Enhanced Electromagnetic Properties Synthesized by Two Different Exfoliation Methods。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
