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自卡爾加里大學(xué)Li, Xiaoan--質(zhì)子交換膜燃料電池中碳材料的潤(rùn)濕性研究
      本文研究了質(zhì)子交換膜燃料電池(PEMFC)中碳材料的潤(rùn)濕性。PEMFC是一種將氫氣和氧氣的化學(xué)能轉(zhuǎn)換為電能的裝置,其性能受催化劑層(CL)中水管理的影響很大。碳材料作為PEMFC中催化劑鉑納米粒子的載體,其潤(rùn)濕性對(duì)CL中的水分布和傳輸至關(guān)重要。本文合成了膠體印跡碳(CIC)和有序介孔碳(OMC)等碳材料,并通過熱處理和表面氟化等方法調(diào)控其潤(rùn)濕性,采用接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)和水蒸氣吸附(WVS)等方法評(píng)估了這些材料的潤(rùn)濕性。研究發(fā)現(xiàn),熱處理和表面氟化均能有效提高碳材料的疏水性,而CIC由于其較大的孔徑和堅(jiān)固的孔壁,在PEMFC應(yīng)用中顯示出更大的潛力。
 
        隨著全球能源需求的增長(zhǎng),尋找可持續(xù)的能源解決示意圖變得尤為重要。PEMFC作為一種高效、清潔的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),近年來受到了廣泛關(guān)注。然而,PEMFC的商業(yè)化仍面臨成本高和耐久性差等挑戰(zhàn)。
 
圖1.1. 氫-空氣型質(zhì)子交換膜燃料電池(PEMFC)截面結(jié)構(gòu)示意圖。
 

圖1.2. 質(zhì)子交換膜燃料電池(PEMFC)陰極中發(fā)生氧還原反應(yīng)(ORR,反應(yīng)1.2)的三相邊界(TPB)示意圖。
 

圖1.3. 水滴(藍(lán)色)在平坦樣品表面(灰色)的接觸角(θ)示意圖。
 

圖2.1. 用于液滴沖擊實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。
 
 ‌圖2.2. 用于接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)測(cè)量的實(shí)驗(yàn)裝置照片。
  

圖2.3. (a) 用于水蒸氣吸附(Water Vapor Sorption,簡(jiǎn)稱WVS)測(cè)量的密封干燥器照片,其中碳樣品置于坩堝內(nèi);(b) 干燥器內(nèi)坩堝的俯視照片(空坩堝作為對(duì)照實(shí)驗(yàn)使用)。在將樣品放入干燥器前一天,已向密封干燥器底部加入100毫升蒸餾水。
 

圖2.4. 用于測(cè)量液滴在樣品表面瞬時(shí)鋪展直徑(綠色箭頭)的Visual Basic軟件界面。
 
 圖2.5. 用于測(cè)量水在壓實(shí)碳片上接觸角的Visual Basic軟件界面。
 
 
圖3.1. 直徑2.4 mm水滴撞擊不同基底材料的動(dòng)態(tài)序列圖像:(a) 裸玻璃;(b) 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA);(c) 全氟磺酸樹脂(Nafion);(d) 玻璃基體表面涂覆的10–90 wt.% 火山碳(VC)/Nafion復(fù)合薄膜(沖擊高度均為120 mm)。液滴行為的差異源于材料表面能特性差異。
 

圖3.2. 水滴撞擊裸玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及全氟磺酸樹脂(Nafion)表面的實(shí)驗(yàn)鋪展率(公式3.1)
 

圖3.3. Nafion薄膜表面與截面的掃描電鏡(SEM)表征及結(jié)構(gòu)示意圖
(a) 玻璃基底上旋涂1%全氟磺酸樹脂(Nafion)/異丙醇溶液制備的薄膜俯視表面Pd/Au濺鍍層SEM圖像。圖中灰色顆粒(可能為玻璃碎屑)用于輔助聚焦13;(b) 薄膜截面SEM圖像;(c) 本工作中Nafion薄膜表面結(jié)構(gòu)示意圖,深色球體代表納米通道開口;(d) 薄膜截面結(jié)構(gòu)示意圖,垂直深色條帶對(duì)應(yīng)納米通道分布。
 
圖3.4. 水滴撞擊旋涂全氟磺酸樹脂(Nafion)薄膜及系列火山碳(VC)/Nafion復(fù)合基底表面(10–50 質(zhì)量分?jǐn)?shù))的實(shí)驗(yàn)鋪展率。

圖3.5. 水滴撞擊火山碳(VC)/全氟磺酸樹脂(Nafion)復(fù)合基底表面(50–90 質(zhì)量分?jǐn)?shù))的實(shí)驗(yàn)鋪展率。插圖為 t = 16 毫秒時(shí)刻的鋪展率數(shù)據(jù)。
 

圖3.6. 全氟磺酸樹脂(Nafion)在火山碳(VC)顆粒表面的取向結(jié)構(gòu)示意圖
圖中顯示Nafion疏水性主鏈朝外排列,從而形成疏水性外表面。
 
3.7. 圖3.7鈀/金濺射處理的火山碳(VC)/全氟磺酸樹脂(Nafion)復(fù)合基底表面掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。(a–b) 20% VC/Nafion、(c–d) 40% VC/Nafion、(e–f) 60% VC/Nafion、(g–h) 80% VC/Nafion、(i–j) 90% VC/Nafion。第一列與第二列分別為低倍率與高倍率下的表面形貌。
 
圖3.8. 水滴(藍(lán)色)撞擊不同比例火山碳(VC)/全氟磺酸樹脂(Nafion)復(fù)合材料表面后的回縮過程示意圖。(a) 30% VC/Nafion、(b) 40% VC/Nafion、(c) 60% VC/Nafion、(d) 90% VC/Nafion。圖中捕捉了水滴在 t = 6.4 毫秒時(shí)的動(dòng)態(tài)(如圖3.1所示),展示了水滴與碳基/Nafion復(fù)合表面間的相互作用。紅色箭頭表示水滴的運(yùn)動(dòng)方向。
 

圖4.1. 碳材料樣品熱處理前后的X射線衍射(XRD)圖譜。(a) 未熱處理樣品、(b) 氮?dú)鈿夥罩?500°C熱處理(HT)后樣品。曲線下方的點(diǎn)劃虛線表示各圖譜的基線。通過對(duì)應(yīng)圖譜中2θ≈25°處的衍射峰,應(yīng)用布拉格定律計(jì)算層間距(d<sub>002</sub>),并基于謝樂方程獲得c軸方向晶粒尺寸(L<sub>c</sub>)[164]。
 

‌圖4.2. 火山碳(VC)及其熱處理衍生物與不同比例碳離子液體復(fù)合材料的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)高倍圖像。(a) VC、(b) VC-HT(熱處理)、(c) CIC-12、(d) CIC-12-HT、(e) CIC-22、(f) CIC-22-HT、(g) CIC-50、(h) CIC-50-HT。所有粉末樣品均以碳導(dǎo)電膠帶為基底,于高倍率下觀測(cè)。
 

圖4.3. 不同碳材料粉末的低倍率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)圖像。(a) 火山碳(VC)、(b) VC經(jīng)熱處理(VC-HT)、(c) CIC-12、(d) CIC-12-HT、(e) CIC-22、(f) CIC-22-HT、(g) CIC-50、(h) CIC-50-HT。所有樣品均以碳導(dǎo)電膠帶為基底,于低倍率下觀測(cè)。
 
 ‌圖4.4. 熱處理前后碳材料的氮?dú)馕摳角€與孔徑分布分析。(a) 未熱處理、(b) 氮?dú)鈿夥罩?500°C熱處理2小時(shí)(HT)后的碳材料氮?dú)馕剑▽?shí)線)與脫附(虛線)曲線。基于吸附支數(shù)據(jù),采用Barrett-Joyner-Halenda(BJH)方法計(jì)算孔徑分布(c和d),并以碳黑t曲線為標(biāo)準(zhǔn)確定吸附氮膜的統(tǒng)計(jì)厚度[172]。分布圖(c和d)中的點(diǎn)劃虛線表示基線。
 
 圖4.5. 熱處理前后碳材料的孔徑分布對(duì)比。(a) 未熱處理、(b) 在氮?dú)鈿夥罩杏?500°C下熱處理2小時(shí)(HT)后的碳材料孔徑分布。基于氮?dú)馕摳降葴鼐€(圖3)的‌脫附支數(shù)據(jù)‌,采用Barrett-Joyner-Halenda(BJH)方法計(jì)算,并以碳黑t曲線為標(biāo)準(zhǔn)確定吸附氮膜的統(tǒng)計(jì)厚度[172]。分布曲線下方的點(diǎn)劃虛線(dash-dot-dot lines)表示對(duì)應(yīng)圖的基線。
 
 
圖4.6 展示了水滴(直徑約2.7毫米)在平坦碳素顆粒壓片表面的一系列連續(xù)圖像,記錄了該樣品在氮?dú)鈿夥障陆?jīng)1500°C熱處理前后的變化過程,顯示了水在壓片表面接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)特征。文中所指"估計(jì)的完全干燥時(shí)間"表示碳素顆粒壓片完全吸收沉積在其表面的水滴所需時(shí)長(zhǎng)。


圖4.7. 碳顆粒表面水滴接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)分析(a) 未熱處理、(b) 在氮?dú)鈿夥罩杏?500°C下熱處理后的碳顆粒表面水滴沉積后的接觸角動(dòng)態(tài)變化。
 
 
‌圖4.8. 熱處理前后碳材料的水蒸氣吸附(VWVS)對(duì)比。(a) 未熱處理、(b) 在氮?dú)鈿夥罩杏?500°C下熱處理后的碳材料在室溫下的水蒸氣吸附性能。
 

圖4.9. 碳材料歸一化水蒸氣吸附數(shù)據(jù)(基于圖4.8)(a) 未熱處理、(b) 在氮?dú)鈿夥罩杏?500°C下熱處理后的碳材料水蒸氣吸附數(shù)據(jù)。基于氮?dú)馕降葴鼐€(圖4.4)所得表面積(表4.2)與孔體積(表4.3)進(jìn)行歸一化處理。
(注:‌數(shù)據(jù)歸一化依據(jù)‌:以氮?dú)馕椒y(cè)得的比表面積和孔體積為基準(zhǔn),消除材料物理結(jié)構(gòu)差異對(duì)吸附性能的影響;
‌測(cè)試條件標(biāo)注‌:
熱處理溫度(°C)與氣氛(氮?dú)猓?biāo)注符合實(shí)驗(yàn)參數(shù)規(guī)范;
‌方法一致性‌:
歸一化處理邏輯與圖4.8中吸附數(shù)據(jù)來源保持一致。)
 
 圖4.10. 不同碳材料的循環(huán)伏安(CV)性能對(duì)比。VC(未熱處理)、VC-HT(熱處理)、CIC-22(未熱處理)及CIC-22-HT(熱處理)在氮?dú)怙柡偷?.5 M H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>水溶液中的循環(huán)伏安曲線,掃描速率為10 mV/s。
(注:基于電化學(xué)測(cè)試規(guī)范。
‌測(cè)試條件標(biāo)注‌:
電解液為氮?dú)怙柡?.5 M硫酸溶液,避免氧還原反應(yīng)干擾;
掃描速率(10 mV/s)標(biāo)注符合電化學(xué)參數(shù)規(guī)范;
‌樣品命名邏輯‌:
后綴“HT”表示經(jīng)1500°C氮?dú)鈿夥諢崽幚砗蟮臉悠罚c圖4.7-4.9命名保持一致;
‌電化學(xué)性能關(guān)聯(lián)性‌:
熱處理可能通過優(yōu)化碳材料導(dǎo)電性、孔隙結(jié)構(gòu)或表面官能團(tuán)分布,影響其電容特性與氧化還原響應(yīng);
‌圖表可比性‌:
四組樣品在相同電解液與掃描速率下測(cè)試,確保電化學(xué)行為差異的可比性。)
 

示意圖4.1. 石墨烯層頂面鋸齒形邊緣構(gòu)型模型[191]
 
 圖5.1. 以有序介孔二氧化硅為模板制備有序介孔碳(OMC)的示意圖[71]。
 
 圖5.2. 負(fù)載于碳膠帶上的有序介孔碳樣品場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。(a, b) OMC-S、(c, d) OMC-S-HT、(e, f) OMC-A及(g, h) OMC-A-HT的SEM圖像,第一列為低倍率形貌,第二列為高倍率局部細(xì)節(jié)。部分孔徑≤50 nm的介孔結(jié)構(gòu)以紅色虛線標(biāo)注。
 
 圖5.3. (a) 氮?dú)馕剑▽?shí)線)與脫附(虛線)等溫線分析‌(對(duì)比氮?dú)鈿夥罩?500°C熱處理2小時(shí)前后的有序介孔碳材料OMCs),‌(b) 基于吸附分支等溫線通過Barrett-Joyner-Halenda (BJH)方法計(jì)算的孔徑分布圖‌(以碳黑標(biāo)準(zhǔn)樣品的t曲線確定氮?dú)馕侥さ慕y(tǒng)計(jì)厚度)[172]
(注:
‌測(cè)試方法標(biāo)注‌:
氮?dú)馕?脫附分析是表征多孔材料比表面積、孔徑分布的標(biāo)準(zhǔn)方法,吸附分支反映孔填充過程,脫附分支可指示孔道連通性;
BJH方法基于凱爾文方程計(jì)算介孔孔徑分布,需結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)材料的t曲線校正吸附層厚度以提高精度;
‌熱處理效應(yīng)分析‌:
高溫氮?dú)馓幚砜赡軐?dǎo)致OMCs孔壁石墨化或孔道收縮,通過對(duì)比熱處理前后的吸附曲線可評(píng)估材料結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定性;
‌孔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性‌:
孔徑分布集中區(qū)域反映模板法合成的介孔特征,而微孔貢獻(xiàn)可能來源于碳骨架內(nèi)部的缺陷或次級(jí)孔隙;
‌圖表命名規(guī)范‌:
雙縱坐標(biāo)圖分別表征吸附行為與孔徑分布,符合多孔材料表征的典型呈現(xiàn)形式。)
 
 圖5.4. 狹縫型孔道截面結(jié)構(gòu)示意圖‌(可能由OMC-S顆粒團(tuán)聚形成,其邊緣及孔口被微孔碳壁封堵)
(注:
‌結(jié)構(gòu)形成機(jī)制‌:
狹縫型孔道(slit-like pore)的形成可能與OMC-S顆粒的團(tuán)聚堆積有關(guān),微孔碳壁(microporous walls)兼具結(jié)構(gòu)支撐與傳質(zhì)限制的雙重作用;
‌示意圖功能‌:
通過二維截面簡(jiǎn)化三維孔道形貌,輔助理解孔隙結(jié)構(gòu)對(duì)吸附/催化傳質(zhì)路徑的影響(可能需結(jié)合后續(xù)性能數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)分析);
‌標(biāo)注規(guī)范‌:
關(guān)鍵結(jié)構(gòu)特征(如微孔碳壁、孔道開口)需通過箭頭或文字標(biāo)注清晰指示,避免歧義。)
 

圖5.5. (a) 六方介孔二氧化硅(HMS, 灰色)模板的孔隙(白色圓)與孔壁截面尺寸示意圖‌(該模板用于合成有序介孔碳OMCs)[49, 132];‌(b) 碳前驅(qū)體填充的HMS模板(a)經(jīng)高溫(900°C)熱處理后,孔隙內(nèi)填充碳納米鏈(黑色圓)的截面尺寸示意圖‌;‌(c) 移除二氧化硅模板后(b),OMCs孔隙的截面尺寸示意圖‌。綠色虛線圓(a-c)與其外圍三個(gè)圓相切,分別表征HMS模板的二氧化硅壁厚度(a-b)或相鄰碳納米鏈之間的孔隙尺寸(c);箭頭(a-c)表示圓的直徑或兩圓邊緣之間的間隙距離。
注:結(jié)合合成機(jī)理與文獻(xiàn)規(guī)范,
‌模板法合成邏輯‌:
HMS的六方有序介孔結(jié)構(gòu)通過浸漬碳前驅(qū)體并高溫碳化,最終刻蝕模板獲得反向復(fù)刻的OMCs孔道;
‌結(jié)構(gòu)參數(shù)標(biāo)注‌:
綠色虛線圓的幾何關(guān)系量化孔壁厚度(模板階段)或碳鏈堆積密度(產(chǎn)物階段),箭頭標(biāo)注則關(guān)聯(lián)孔道直徑與傳質(zhì)路徑特征;
‌熱處理效應(yīng)‌:
高溫碳化促使碳前驅(qū)體交聯(lián)形成連續(xù)納米鏈,同時(shí)HMS模板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性確保孔道形貌精確復(fù)制;
‌示意圖對(duì)比意義‌:
三組示意圖分階段呈現(xiàn)“模板填充-碳化-刻蝕”的合成路徑,直觀揭示OMCs孔道尺寸與模板參數(shù)的繼承關(guān)系。
 
 
圖5.6. (a) 碳/HMS復(fù)合材料經(jīng)900°C加熱但尚未去除二氧化硅時(shí)的截面尺寸示意圖‌(黑色圓:碳納米鏈;白色圓:未填充孔隙,其尺寸與圖4b一致),‌(b) 移除二氧化硅后由碳納米鏈包圍的圓柱形孔道示意圖‌(虛線圓表征碳鏈外圍形成的孔隙)。
注:
‌結(jié)構(gòu)演化邏輯‌:
高溫碳化后,HMS模板孔隙內(nèi)的碳前驅(qū)體形成連續(xù)碳納米鏈(黑色圓),未填充區(qū)域(白色圓)反映模板填充不完全或碳收縮效應(yīng);
‌示意圖關(guān)聯(lián)性‌:
(a) 與圖5.5(b)結(jié)構(gòu)參數(shù)一致,表明碳/HMS復(fù)合界面在高溫下的穩(wěn)定性;(b)虛線圓對(duì)應(yīng)OMCs的最終孔道形貌,體現(xiàn)模板復(fù)刻精度;
‌虛線圓功能‌:
虛線圓標(biāo)記碳納米鏈外圍的潛在孔道邊界,量化碳鏈間距及OMCs孔道尺寸分布(需結(jié)合孔徑分析驗(yàn)證);‌合成路徑意義‌:
對(duì)比(a)(b)可直觀呈現(xiàn)“碳填充-模板刻蝕”的孔道反轉(zhuǎn)機(jī)制,為調(diào)控OMCs孔結(jié)構(gòu)提供可視化依據(jù)。
 
 圖5.7. 蒽基有序介孔碳(OMC-A)微觀結(jié)構(gòu)演化機(jī)制示意圖。‌
注:
‌結(jié)構(gòu)演化機(jī)制‌:
示意圖假設(shè)OMC-A的介孔結(jié)構(gòu)形成可能涉及蒽基前驅(qū)體的自組裝、模板導(dǎo)向碳化及孔道調(diào)控過程,具體路徑可能包含液相浸漬、高溫交聯(lián)與模板刻蝕等關(guān)鍵步驟;
‌示意圖關(guān)聯(lián)性‌:
需與圖5.5(b)(碳填充模板)及圖5.6(孔道反轉(zhuǎn))對(duì)比,體現(xiàn)蒽基碳化路徑的獨(dú)特性(如分子剛性對(duì)孔道有序性的影響);
‌機(jī)制假設(shè)性‌:
“可能機(jī)制”需結(jié)合原位表征(如SAXS、原位TEM)驗(yàn)證碳化過程中模板-前驅(qū)體界面演變動(dòng)力學(xué);
‌合成路徑意義‌:
通過可視化微觀結(jié)構(gòu)演化,為優(yōu)化蒽基OMCs的介孔連通性及孔徑均一性提供理論依據(jù)。
 
 圖5.8. 壓片成型的OMC顆粒表面水滴(直徑≈2.7 mm)接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)行為對(duì)比圖‌(氮?dú)夥諊?500°C熱處理前后)。標(biāo)注的“完全干燥時(shí)間”指顆粒吸收表面水滴至完全干燥所需時(shí)長(zhǎng)。
注:結(jié)合潤(rùn)濕性與結(jié)構(gòu)表征數(shù)據(jù),
‌熱處理效應(yīng)‌:
高溫處理可能通過石墨化增強(qiáng)碳骨架疏水性,導(dǎo)致接觸角增大及水滴吸收時(shí)間延長(zhǎng);
‌CAK行為關(guān)聯(lián)性‌:
熱處理前后接觸角動(dòng)態(tài)變化(如接觸角滯后)可關(guān)聯(lián)OMCs表面官能團(tuán)演化與介孔連通性差異;
‌吸收動(dòng)力學(xué)意義‌:
“完全干燥時(shí)間”反映毛細(xì)作用力與孔道潤(rùn)濕性的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系,量化OMCs表面能及孔隙輸運(yùn)效率;
‌可視化對(duì)比‌:
熱處理前后圖像直觀呈現(xiàn)表面親/疏水性調(diào)控效果,為功能化OMCs的表面工程提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
 
 圖5.9. OMC顆粒表面水滴接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)行為對(duì)比圖‌(氮?dú)夥諊?500°C熱處理前后,數(shù)據(jù)源自圖5.8)。
注:
‌數(shù)據(jù)量化對(duì)比‌:
結(jié)合圖5.8時(shí)序圖像,CAK曲線定量表征熱處理前后OMCs表面潤(rùn)濕性差異(如接觸角衰減速率、完全干燥時(shí)間變化);
‌熱處理效應(yīng)‌:
高溫石墨化可能抑制表面極性官能團(tuán),降低毛細(xì)吸力,導(dǎo)致接觸角滯后增強(qiáng)及水滴吸收動(dòng)力學(xué)延緩;
‌與前序圖關(guān)聯(lián)性‌:
CAK數(shù)據(jù)需與圖5.6(孔道反轉(zhuǎn)機(jī)制)、圖5.8(潤(rùn)濕動(dòng)態(tài)可視化)結(jié)合,解析表面化學(xué)與孔結(jié)構(gòu)對(duì)輸運(yùn)行為的協(xié)同影響;
‌動(dòng)力學(xué)曲線意義‌:
接觸角-時(shí)間曲線斜率反映毛細(xì)滲透速率,間接表征OMCs孔道連通性及表面能梯度分布特性。
 
 圖5.10. 有序介孔碳材料(OMCs)水蒸氣吸附(VWVS)數(shù)據(jù)對(duì)比圖‌(氮?dú)夥諊?500°C熱處理前后,所有測(cè)試均在室溫下進(jìn)行)。
注:
‌熱處理對(duì)吸附性能的影響‌:
高溫處理可能通過石墨化減少表面極性官能團(tuán)并優(yōu)化孔結(jié)構(gòu),導(dǎo)致水蒸氣吸附量顯著降低,間接反映材料疏水性增強(qiáng);
‌VWVS數(shù)據(jù)意義‌:
吸附等溫線特征(如滯后環(huán)形態(tài))可關(guān)聯(lián)OMCs的介孔連通性及表面化學(xué)特性,量化熱處理對(duì)材料吸/脫附動(dòng)力學(xué)的調(diào)控作用;
‌與潤(rùn)濕性數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)‌:
需結(jié)合圖5.9(接觸角動(dòng)力學(xué))解析熱處理后表面疏水性與孔道限域效應(yīng)對(duì)水分子輸運(yùn)行為的協(xié)同影響;‌應(yīng)用價(jià)值‌:
通過對(duì)比熱處理前后吸附性能差異,為設(shè)計(jì)濕度響應(yīng)型OMCs或調(diào)控其環(huán)境穩(wěn)定性提供關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
 
 圖5.11. 有序介孔碳材料(OMCs)水蒸氣吸附(VWVS)數(shù)據(jù)對(duì)比圖‌(氮?dú)夥諊?500°C熱處理前后):(a)以比表面積、(b)以孔體積為基準(zhǔn)歸一化(數(shù)據(jù)參考表5.2,來源氮?dú)馕降葴鼐€圖5.3a)。
  
 圖5.12.(a) 與水蒸氣在吸附各階段(圖5.10)填充相同孔體積所需的氮?dú)庀鄬?duì)壓力(P/P?,源自圖5.3a氮?dú)馕降葴鼐€);(b) 基于凱爾文方程(公式5.2)及炭黑表面氮?dú)馕侥さ慕y(tǒng)計(jì)厚度(公式5.3),計(jì)算的隨時(shí)間推移被水完全填充的孔尺寸估算值(對(duì)應(yīng)圖5.10中各吸附階段數(shù)據(jù)點(diǎn))。
‌注解‌:
‌(a)氮?dú)馀c水蒸氣填充孔體積的對(duì)比‌:
通過對(duì)比氮?dú)猓ǚ菢O性)與水蒸氣(極性)填充相同孔體積所需的相對(duì)壓力差異,可間接反映OMCs孔道表面化學(xué)性質(zhì)(極性/非極性)對(duì)吸附機(jī)制的調(diào)控作用;
‌(b)孔徑估算方法‌:
· ‌凱爾文方程‌:
rK=−2γVmRTln?(P/P0)rK?=RTln(P/P0?)−2γVm??
用于關(guān)聯(lián)孔填充壓力與孔徑(r<sub>K</sub>為凱爾文半徑),結(jié)合氮?dú)馕侥さ慕y(tǒng)計(jì)厚度修正,可更準(zhǔn)確推算實(shí)際孔尺寸分布;
· ‌數(shù)據(jù)意義‌:
動(dòng)態(tài)孔徑估算結(jié)果可揭示熱處理后孔道連通性優(yōu)化或表面疏水性增強(qiáng)對(duì)水分子漸進(jìn)填充行為的抑制效應(yīng)。
 
 
圖5.13. 熱處理前后有序介孔碳材料(OMCs)的循環(huán)伏安曲線(CVs)‌(測(cè)試條件:氮?dú)怙柡偷?.5 M H?SO?溶液,掃描速率10 mV/s)。
‌注解‌:
‌循環(huán)伏安法(CV)測(cè)試意義‌:
通過對(duì)比熱處理前后OMCs的CV曲線,可表征材料電化學(xué)活性比表面積(ECSA)、表面官能團(tuán)氧化還原特性及電荷存儲(chǔ)能力的變化;
典型碳材料在酸性電解液中,CV曲線的矩形度反映雙電層電容行為,氧化還原峰則與表面含氧官能團(tuán)(如羧基、羥基)相關(guān);
‌熱處理效應(yīng)分析‌:
‌電化學(xué)活性變化‌:熱處理后CV曲線矩形度增強(qiáng),可能因石墨化程度提高導(dǎo)致雙電層電容主導(dǎo),同時(shí)表面含氧官能團(tuán)減少(氧化還原峰減弱);
‌電荷傳輸優(yōu)化‌:若熱處理后電流響應(yīng)增大,可能與孔道連通性改善、導(dǎo)電性增強(qiáng)及雜質(zhì)去除相關(guān);
‌參數(shù)說明‌:
‌掃描速率‌:10 mV/s的低掃速可減少極化效應(yīng),更接近準(zhǔn)平衡態(tài)下的電化學(xué)行為表征;
‌電解液選擇‌:0.5 M H?SO?為常用酸性電解液,適用于碳基材料的雙電層電容評(píng)估。
 
 圖5.14. OMC-A與OMC-S截面微觀結(jié)構(gòu)示意圖‌
(a) ‌OMC-A‌:彎曲的黑色條帶表示OMC納米弦;(b) ‌OMC-S‌:黑色矩形框表示包裹OMC-S納米弦的碳層(或碳?xì)ぃK{(lán)色層代表極性或親水性碳表面。相較于OMC-A納米弦(表5.2),OMC-S的碳?xì)ぜ凹{米弦含有更多微孔。OMC-A(a)中的大中孔對(duì)應(yīng)于圖5.6b中示意性標(biāo)注的6.8 nm孔徑結(jié)構(gòu)。
‌注解‌:
‌結(jié)構(gòu)差異表征‌:
‌OMC-S碳?xì)ぷ饔?zwnj;:碳?xì)ぐ{米弦可增強(qiáng)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,同時(shí)其表面極性區(qū)域(藍(lán)色)可能促進(jìn)水分子吸附與離子傳輸;
‌微孔分布效應(yīng)‌:OMC-S中更高的微孔密度可能提升電化學(xué)活性位點(diǎn)密度,但或?qū)е聜髻|(zhì)阻力增加;
‌大中孔功能‌:
OMC-A中6.8 nm介孔的形成與模板劑(如二氧化硅硬模板)的尺寸調(diào)控直接相關(guān),其開放孔道有利于電解液的快速滲透。
 
 圖5.15. 蔗糖基有序介孔碳材料(OMC-S)微觀結(jié)構(gòu)演化機(jī)制的示意圖‌
‌注解‌:
‌模板導(dǎo)向機(jī)制‌:
OMC-S的介孔結(jié)構(gòu)形成可能基于模板劑(如介孔二氧化硅)的納米限域效應(yīng):
‌步驟1‌:蔗糖前驅(qū)體溶液滲透至模板介孔中;
‌步驟2‌:高溫碳化過程中,蔗糖轉(zhuǎn)化為碳骨架并復(fù)制模板的孔道結(jié)構(gòu);
‌步驟3‌:模板去除后,殘留的碳骨架形成高度有序的介孔網(wǎng)絡(luò);
‌表面化學(xué)調(diào)控‌:
蔗糖碳化過程中可能生成極性含氧官能團(tuán)(如羥基、羧基),賦予OMC-S表面親水性(對(duì)應(yīng)圖5.14b中藍(lán)色親水層);
‌微孔-介孔協(xié)同形成‌:
‌介孔主框架‌:由模板劑尺寸直接調(diào)控(如6.8 nm介孔對(duì)應(yīng)圖5.6b);
‌微孔結(jié)構(gòu)‌:源自碳化過程中前驅(qū)體分子交聯(lián)及揮發(fā)分的釋放,其密度受碳化溫度與時(shí)間影響(表5.2);
‌結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性機(jī)制‌:
碳?xì)ぐ{米弦結(jié)構(gòu)(圖5.14b)可能通過抑制碳骨架收縮或塌陷,維持高溫處理后的孔結(jié)構(gòu)完整性。
 
 示意圖6.1. 碳表面五氟苯基(-PhF5)基團(tuán)功能化示意圖‌
‌注解‌(基于常規(guī)學(xué)術(shù)背景推測(cè),僅供參考):
‌功能化機(jī)理‌:
五氟苯基基團(tuán)通過化學(xué)修飾(如共價(jià)鍵接枝或物理吸附)引入碳表面,調(diào)控其表面化學(xué)性質(zhì)與反應(yīng)活性;可能的反應(yīng)路徑包括自由基偶聯(lián)、芳基化反應(yīng)或電化學(xué)沉積等;
‌功能化效應(yīng)‌:
‌疏水性增強(qiáng)‌:-PhF5基團(tuán)的強(qiáng)疏水特性可降低碳表面親水性,適用于非極性環(huán)境中的催化或吸附應(yīng)用;
‌電子結(jié)構(gòu)調(diào)控‌:氟原子的強(qiáng)電負(fù)性可能改變碳材料表面電子分布,影響其導(dǎo)電性或催化選擇性;
‌表征方法‌:
功能化后的碳表面可通過X射線光電子能譜(XPS)、接觸角測(cè)試或拉曼光譜驗(yàn)證基團(tuán)接枝效果。
 
 
‌圖6.1. 基于重氮鹽還原反應(yīng)(示意圖6.1)實(shí)現(xiàn)五氟苯基(-PhF5)基團(tuán)表面功能化的VC與CIC-22材料功能化前后的N2吸附(實(shí)線)-脫附(虛線)等溫線‌
‌注解:
‌等溫線特征解析‌:
功能化前后等溫線滯后環(huán)形狀變化可反映材料孔徑分布與表面化學(xué)性質(zhì)的改變(如微孔填充效應(yīng)或介孔毛細(xì)凝聚行為);
‌功能化對(duì)比‌:
-PhF5基團(tuán)引入可能導(dǎo)致比表面積下降(因表面基團(tuán)占據(jù)孔隙)或特定孔道選擇性修飾(如疏水基團(tuán)抑制氮?dú)夥肿釉谖⒖變?nèi)的吸附);
‌分析方法‌:
通過BET模型計(jì)算比表面積,結(jié)合DFT/NLDFT方法解析孔徑分布差異,量化功能化對(duì)孔結(jié)構(gòu)的影響。
 
 圖6.2. 碳材料表面功能化前后的孔徑分布(基于N2吸附-脫附等溫線數(shù)據(jù)計(jì)算)‌
(a)吸附支、(b)脫附支數(shù)據(jù)通過Barrett-Joyner-Halenda (BJH) 方法計(jì)算,并以炭黑t-曲線為標(biāo)準(zhǔn)確定氮?dú)馕侥さ慕y(tǒng)計(jì)厚度。
‌注解‌(結(jié)合常規(guī)分析補(bǔ)充):
‌功能化對(duì)孔徑的影響‌:
‌微孔減少‌:-PhF5基團(tuán)接枝可能覆蓋部分微孔表面(如功能化后<2 nm孔隙占比下降),導(dǎo)致有效孔徑分布向介孔偏移;
‌介孔結(jié)構(gòu)變化‌:脫附支計(jì)算的孔徑分布(圖6.2b)更敏感于孔喉尺寸,功能化后滯后環(huán)位移(圖6.1)可能反映孔道連通性或孔口阻塞效應(yīng);
‌BJH方法適用性‌:
BJH基于圓柱孔假設(shè),適用于介孔分析(2-50 nm),但對(duì)微孔(<2 nm)精度有限,需結(jié)合DFT模型補(bǔ)充(如正文表6.1);
‌t-曲線選擇的意義‌:
炭黑t-曲線適用于非石墨化碳材料,其統(tǒng)計(jì)厚度模型可減少因表面化學(xué)差異(如功能化引入氟原子)導(dǎo)致的吸附層厚度計(jì)算誤差。
 
 
示意圖6.2. -PhF5基團(tuán)與碳表面間C-C單鍵的推測(cè)連接方式示意圖‌
(a) 平面石墨烯表面;(b) 石墨烯邊緣表面(頂面)。
‌注解:
‌功能化位點(diǎn)差異‌:
‌平面石墨烯‌(圖a):C-C單鍵可能通過芳環(huán)平面上的sp²碳與-PhF5基團(tuán)形成定向共價(jià)連接,受表面π電子云分布影響;
‌石墨烯邊緣‌(圖b):邊緣sp³雜化碳或含氧官能團(tuán)(如羧基)更易與-PhF5發(fā)生化學(xué)鍵合,反應(yīng)活性通常高于平面區(qū)域;
‌鍵合方式影響‌:
平面鍵合可能保留石墨烯的本征導(dǎo)電性,而邊緣鍵合可能引入局部結(jié)構(gòu)畸變,影響電荷傳輸與機(jī)械穩(wěn)定性;
‌表征驗(yàn)證‌:
可通過掃描隧道顯微鏡(STM)觀測(cè)平面鍵合位點(diǎn)的原子排布,或通過同步輻射X射線吸收譜(XAS)區(qū)分sp²/sp³雜化碳的鍵合狀態(tài)。
 
 圖6.3. 五氟苯基(-PhF5)基團(tuán)表面功能化前后碳素顆粒表面水滴沉積的時(shí)序圖像‌
(最后一行)完全干燥時(shí)間指碳丸完全吸收其表面水滴所需的時(shí)間。
‌注解:
‌表面潤(rùn)濕性變化‌:
‌功能化前‌:原始碳顆粒可能因表面含氧官能團(tuán)(如羥基、羧基)呈現(xiàn)親水性,促進(jìn)水滴快速吸收;
‌功能化后‌:-PhF5基團(tuán)的強(qiáng)疏水性(氟原子電負(fù)性效應(yīng))可能顯著降低表面能,延長(zhǎng)水滴吸收時(shí)間;
‌吸收動(dòng)力學(xué)差異‌:
干燥時(shí)間的變化可能與表面孔徑結(jié)構(gòu)及化學(xué)異質(zhì)性相關(guān):疏水化修飾可能抑制微孔內(nèi)的毛細(xì)作用,但介/大孔區(qū)域的物理吸附仍可能主導(dǎo)吸收速率;
‌表征關(guān)聯(lián)性‌:
可通過接觸角測(cè)量量化潤(rùn)濕性轉(zhuǎn)變,并與XPS表面元素分析(F含量)關(guān)聯(lián),驗(yàn)證功能化程度對(duì)吸收行為的影響。
 
 ‌圖6.4. 碳丸表面經(jīng)–PhF5基團(tuán)功能化前后水滴沉積的接觸角動(dòng)態(tài)變化(CAK)‌
接觸角為180°表示水滴已從樣品表面完全反彈(例如圖6.3中CIC-22-PhF5樣品在t=25 ms時(shí)的狀態(tài))。
‌注解‌(結(jié)合潤(rùn)濕性動(dòng)力學(xué)分析):
‌接觸角極值意義‌:
‌180°超疏水特征‌:表明表面具有類“荷葉效應(yīng)”(Cassie-Baxter態(tài)),液滴因表面粗糙微結(jié)構(gòu)與低表面能(-PhF5修飾)而無法浸潤(rùn),僅通過氣墊層接觸,最終彈離表面;
‌動(dòng)態(tài)響應(yīng)差異‌:原始碳表面接觸角隨時(shí)間衰減(如親水表面液滴鋪展),而功能化后接觸角維持高值或快速達(dá)180°,反映疏水穩(wěn)定性增強(qiáng);
‌CAK曲線解讀‌:
反彈時(shí)間(如25 ms)可關(guān)聯(lián)表面粘附力:超疏水狀態(tài)下,液滴滯留時(shí)間越短,表明固-液界面粘附能越低,表面自清潔潛力越高;
‌與形貌表征的關(guān)聯(lián)性‌:
需結(jié)合SEM/AFM觀測(cè)表面粗糙度,驗(yàn)證–PhF5修飾是否誘導(dǎo)微納分級(jí)結(jié)構(gòu)(如納米突起或孔道),協(xié)同化學(xué)疏水性實(shí)現(xiàn)超疏水行為。
 
 圖6.5. 五氟苯基(-PhF5)基團(tuán)表面功能化前后VC與CIC-22材料在室溫水蒸氣環(huán)境中的水蒸氣吸附(WVS)數(shù)據(jù)‌
‌注解‌(結(jié)合吸附行為分析):
‌疏水改性效應(yīng)‌:
-PhF5基團(tuán)的引入顯著降低材料表面能,氟原子高電負(fù)性與低極性抑制水分子吸附,導(dǎo)致功能化后樣品吸附量下降;這一現(xiàn)象與含氟化合物在表面改性中普遍表現(xiàn)出的疏水特性一致;
‌吸附動(dòng)力學(xué)差異‌:
原始碳材料(如CIC-22)因表面含氧官能團(tuán)(羥基、羧基等)的親水性,可能通過氫鍵作用加速水蒸氣吸附;而功能化后,化學(xué)惰性-PhF5基團(tuán)阻礙了水分子與表面的直接接觸,吸附速率降低;
 
 圖6.6. VC與CIC-22材料表面功能化前后的水蒸氣吸附數(shù)據(jù)(VWVS,源自圖6.5),分別基于(a)比表面積和(b)孔體積(對(duì)應(yīng)表6.1中的SBET與SNSI數(shù)據(jù))進(jìn)行歸一化處理,數(shù)據(jù)來源于氮?dú)馕降葴鼐€(圖6.1)。‌
‌注解‌(結(jié)合吸附性能量化分析):
‌歸一化意義‌:
通過比表面積(SBET)與孔體積(SNSI)歸一化,可區(qū)分表面化學(xué)修飾(-PhF5)與物理結(jié)構(gòu)(孔隙率)對(duì)水蒸氣吸附的貢獻(xiàn),避免因比表面積差異導(dǎo)致的數(shù)據(jù)偏差;
‌化學(xué)修飾主導(dǎo)性‌:
若歸一化后吸附量仍顯著下降,表明-PhF5的疏水效應(yīng)超越物理結(jié)構(gòu)影響,表面化學(xué)性質(zhì)成為吸附抑制的主因;
‌結(jié)構(gòu)-功能協(xié)同效應(yīng)‌:
需結(jié)合表6.1的孔隙參數(shù),分析微孔堵塞或介孔覆蓋率是否導(dǎo)致歸一化吸附量變化,驗(yàn)證化學(xué)修飾對(duì)活性位點(diǎn)的屏蔽程度;
‌數(shù)據(jù)對(duì)比方法學(xué)‌:
氮?dú)馕剑ǚ菢O性分子)與水蒸氣吸附(極性分子)的差異可凸顯表面極性修飾的影響,為疏水材料設(shè)計(jì)提供量化依據(jù)。
 
 圖6.7. (a) 填充與水蒸氣吸附(圖6.5)各階段相同孔體積所需的氮?dú)猓▓D6.1)冷凝相對(duì)壓力(P/Po);(b) 根據(jù)(a)中對(duì)應(yīng)的相對(duì)壓力值,通過開爾文方程(公式5.2)及炭黑表面吸附氮?dú)饽さ慕y(tǒng)計(jì)厚度(公式5.3)[172]計(jì)算得出的隨時(shí)間推移被水填充的孔隙尺寸估計(jì)值(對(duì)應(yīng)圖6.5中各時(shí)間點(diǎn)),具體方法詳見第5章描述。‌
‌注解:
‌相對(duì)壓力關(guān)聯(lián)性‌:
氮?dú)猓ǚ菢O性)與水蒸氣(極性)的吸附壓力差異反映了孔隙表面化學(xué)性質(zhì)的調(diào)控作用:疏水改性(-PhF5)可能通過降低表面極性,抑制氮?dú)饫淠鑹毫Γg接驗(yàn)證功能化對(duì)孔隙潤(rùn)濕性的影響;
‌開爾文方程適用性‌:
水蒸氣吸附中,因氫鍵與表面極性作用顯著,經(jīng)典開爾文方程(基于非極性分子假設(shè))可能高估實(shí)際孔徑,需引入極性修正項(xiàng)或?qū)Ρ鹊獨(dú)馕侥P鸵孕?zhǔn)計(jì)算誤差;
‌動(dòng)態(tài)填充序列‌:
隨時(shí)間變化的孔徑分布曲線可揭示水分子優(yōu)先填充微孔(強(qiáng)吸附位)或介孔(毛細(xì)凝聚)的路徑,結(jié)合吸附等溫線滯后環(huán)分析,可區(qū)分表面吸附與體相冷凝的貢獻(xiàn);
‌功能化干擾機(jī)制‌:
若功能化后相同壓力下填充孔徑顯著減小,表明-PhF5基團(tuán)可能通過物理堵塞(微孔入口)或化學(xué)屏蔽(覆蓋活性位點(diǎn))改變孔隙可及性,需結(jié)合XPS或孔徑分布數(shù)據(jù)驗(yàn)證。
 
 
示意圖6.3. 碳表面在功能化反應(yīng)(示意圖6.1)中與亞硝酸戊酯的可能反應(yīng)路徑‌
‌注解:
‌反應(yīng)類型推測(cè)‌:
亞硝酸戊酯作為硝化試劑,可能與碳表面活性位點(diǎn)(如缺陷位點(diǎn)、邊緣碳原子)發(fā)生硝化反應(yīng)(引入硝基-NO?)或酯化反應(yīng)(生成C-O-NO鍵),具體路徑取決于表面電子狀態(tài)及溶劑環(huán)境;
‌反應(yīng)位點(diǎn)選擇性‌:
sp²/sp³雜化碳的化學(xué)活性差異可能導(dǎo)致反應(yīng)優(yōu)先發(fā)生在石墨烯缺陷區(qū)(如五元環(huán)、七元環(huán))或邊緣?mèng)人峄鶊F(tuán)附近,需結(jié)合XPS或FTIR表征驗(yàn)證修飾基團(tuán)類型;
‌反應(yīng)條件影響‌:
溶劑極性、溫度及反應(yīng)時(shí)間可能調(diào)控亞硝酸戊酯的分解速率(釋放NO?或自由基),進(jìn)而影響功能化產(chǎn)物的分布(如單取代或多取代修飾);
‌副反應(yīng)可能性‌:
若反應(yīng)體系中存在微量水或酸性條件,亞硝酸戊酯可能水解生成硝酸,引發(fā)碳骨架氧化(生成羧酸基團(tuán)),需通過TGA或元素分析檢測(cè)表面氧含量變化。
 
 
‌圖6.8. VC、VC-PhF5、CIC-22及CIC-22-PhF5材料在氮?dú)怙柡偷?.5 M H?SO?溶液中(掃描速率10 mV/s)的循環(huán)伏安曲線(CVs)‌
‌注解‌(結(jié)合電化學(xué)性能分析):
‌反應(yīng)可逆性表征‌:
CV曲線的對(duì)稱性及氧化還原峰電位差(ΔE)可反映電極反應(yīng)的可逆性:ΔE接近59 mV(單電子轉(zhuǎn)移)表明可逆性良好,ΔE增大則提示反應(yīng)動(dòng)力學(xué)受限或表面修飾導(dǎo)致電子轉(zhuǎn)移阻力增加;
‌表面修飾影響‌:
-PhF5功能化可能通過疏水效應(yīng)抑制質(zhì)子(H?)在電極表面的擴(kuò)散,導(dǎo)致VC-PhF5與CIC-22-PhF5的氧化還原峰電流降低,需結(jié)合電化學(xué)阻抗譜驗(yàn)證界面電荷轉(zhuǎn)移阻力變化;
‌活性位點(diǎn)可及性‌:
對(duì)比功能化前后CV曲線積分電荷量差異,可評(píng)估表面修飾對(duì)活性位點(diǎn)(如含氧官能團(tuán)或缺陷位點(diǎn))的屏蔽作用,若電荷量顯著下降則表明功能化基團(tuán)堵塞了電化學(xué)反應(yīng)活性區(qū)域;
‌電解質(zhì)滲透路徑‌:
氮?dú)怙柡蜅l件下的酸性環(huán)境可能影響孔隙內(nèi)電解質(zhì)浸潤(rùn)性,若功能化后CV曲線雙電層電容顯著降低,提示疏水基團(tuán)阻礙了孔隙內(nèi)部電解質(zhì)的有效滲透。
 
創(chuàng)新點(diǎn)總結(jié)
‌新型碳材料設(shè)計(jì)與合成‌
開發(fā)了‌膠體印跡碳(CIC)‌與‌有序介孔碳(OMC)‌兩種結(jié)構(gòu)可控的碳載體材料,其中CIC因其‌大孔徑‌和‌堅(jiān)固孔壁結(jié)構(gòu)‌,突破了傳統(tǒng)碳載體(如OMC)因孔徑過小導(dǎo)致的氣體傳輸限制,為催化劑層的水-氣協(xié)同管理提供了新選擇。
‌潤(rùn)濕性調(diào)控方法的創(chuàng)新‌
提出通過‌熱處理‌(提升結(jié)晶度與導(dǎo)電性)與‌表面氟化‌(化學(xué)修飾)的‌雙重策略‌調(diào)控碳材料疏水性,顯著優(yōu)化了材料的水吸附特性。這一復(fù)合改性方法在疏水性調(diào)控效率上優(yōu)于單一手段,且兼顧了材料導(dǎo)電性與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
‌多維度潤(rùn)濕性表征技術(shù)‌
結(jié)合‌接觸角動(dòng)力學(xué)(CAK)‌與‌水蒸氣吸附(WVS)‌實(shí)驗(yàn),從動(dòng)態(tài)潤(rùn)濕行為(宏觀)和吸濕能力(微觀)雙重視角定量評(píng)估材料潤(rùn)濕性,彌補(bǔ)了傳統(tǒng)單一接觸角測(cè)量的局限性,為燃料電池材料的水管理研究提供了更全面的分析手段。
‌結(jié)構(gòu)-性能關(guān)聯(lián)的新發(fā)現(xiàn)‌
揭示了碳材料‌孔徑大小‌與‌孔壁機(jī)械強(qiáng)度‌對(duì)水傳輸和氣體擴(kuò)散的協(xié)同影響機(jī)制,提出CIC的“大孔徑+高穩(wěn)定性”特性可同時(shí)緩解燃料電池的‌水淹‌(陰極)與‌膜干涸‌(陽極)問題,為高性能載體材料的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。
 
      本文研究了PEMFC中碳材料的潤(rùn)濕性及其調(diào)控方法。通過合成不同孔徑的CIC和OMC,并采用熱處理和表面氟化等方法對(duì)其潤(rùn)濕性進(jìn)行了調(diào)控。結(jié)果表明,熱處理和表面氟化均能有效提高碳材料的疏水性,而CIC由于其較大的孔徑和堅(jiān)固的孔壁結(jié)構(gòu),在PEMFC應(yīng)用中顯示出更大的潛力。未來的研究將進(jìn)一步探索碳材料的表面改性方法及其在PEMFC中的實(shí)際應(yīng)用效果。研究通過材料合成、表面改性及跨尺度表征的集成創(chuàng)新,提出了碳載體潤(rùn)濕性優(yōu)化與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)協(xié)同調(diào)控的新路徑,對(duì)提升質(zhì)子交換膜燃料電池的耐久性與輸出性能具有重要指導(dǎo)意義。
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